[发明专利]用于提供具有活性掺杂剂层结构的半导体衬底的方法

摘要

公开了一种用于形成具有薄层结构和具有良好定义的被激活掺杂剂的层的半导体器件的方法。该方法中，当以第一掺杂剂在第一掺杂浓度注入区之后，半导体衬底中的该区被非晶化。接着为了激活仅位于这一薄层中的第一掺杂剂，在所需厚度的非晶化区的薄层上进行固相外延再生长步骤。然后，在剩余非晶区中以第二掺杂浓度注入第二掺杂剂，由此得到具有第一掺杂剂的薄层的掺杂剂特性与具有第二掺杂剂的区之间的非常陡峭的过渡。

主权项

1、一种用于在半导体衬底(1)中提供被激活的掺杂剂的结构层的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一种具有至少一个非晶化亚体积的半导体衬底(1)，在所述非晶化亚体积中注入第一掺杂剂，在注入第一掺杂剂之后，通过固相外延再生长的方式激活所述非晶化亚体积的第一部分中的所述第一掺杂剂以形成边界区(4，5)，该边界区小于亚体积，所述非晶化亚体积的第二部分保持非晶化，在激活第一掺杂剂之后，将第二掺杂剂注入所述非晶化亚体积的所述第二部分中，和在注入第二掺杂剂之后，激活所述非晶化亚体积的所述第二部分中的所述第二掺杂剂。