[发明专利]固态成像装置及其制造方法

摘要

一种固态成像装置，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底上的光电转换部分；形成在半导体衬底上并覆盖光电转换部分的栅极绝缘膜；用于在垂直方向转移在光电转换部分产生的电荷的垂直转移部分；和用于转移该垂直转移部分的电荷的多层转移栅电极。多层转移栅电极的至少一层由不同杂质浓度的至少两层杂质掺杂非晶硅膜构成。因此，该固态成像装置及其制造方法有助于在转移沟道中不产生局部势垒，提高产量，改善夹在电极之间的绝缘膜的耐电压以及防止由于光阻挡膜的局部变薄产生的光泄漏和金属导体的阶梯中断。

主权项

1、一种固态成像装置，包括：半导体衬底；光电转换部分，形成在该半导体衬底上；栅极绝缘膜，形成在该半导体衬底上并覆盖该光电转换部分；垂直转移部分，用于在垂直方向转移在该光电转换部分中产生的电荷；和多层转移栅电极，用于转移该垂直转移部分的电荷；其中，该多层转移栅电极的至少一层由不同杂质浓度的至少两层杂质掺杂非晶硅膜构成。