[发明专利]静电放电保护器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410102193.8 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1630079A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 金容顿;吴钟欢 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 郭定辉;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种静电放电保护器件及其制造方法，包括衬底、形成在衬底中的n阱、形成在n阱上的p阱、形成在p阱上的NMOS晶体管、以及形成在p阱中的接地p+阱拾取器，该NMOS晶体管包括栅极电极、n+源极和n+漏极，其中n阱连接至NMOS晶体管的n+漏极，且n+源极接地。连接n+漏极和n阱，从而减小触发电压和衬底表面的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护器件，包括：衬底；n阱，形成在衬底中；p阱，形成在n阱上；NMOS晶体管，形成在p阱上，该NMOS晶体管包括栅极电极、n+源极和n+漏极；以及接地p+阱拾取器，形成在p阱中，其中n阱连接至NMOS晶体管的n+漏极，且n+源极接地。
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