[发明专利]硅晶片以及用于制造硅晶片的方法无效
| 申请号： | 200410096681.2 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1697130A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 尹晟豪;裵昭益;文英熙 | 申请（专利权）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00;H01L21/324;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于制造高质量已退火晶片的方法，其中所述晶片在被置于前和后无杂区(DZ)之间的体区内具有均匀且高密度的体微缺陷(BMD)，所述方法增加了吸取金属杂质Fe、Cu等的效应，并且其在器件的有源区提供了无缺陷区。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有前侧、后侧和被置于所述前侧和后侧之间的区的硅晶片，所述硅晶片包括：从所述前侧延伸到距离前侧预定深度的第一无杂区，所述第一无杂区基本上没有晶体起源坑；从所述后侧延伸到距离后侧预定深度的第二无杂区，所述第二无杂区基本上没有晶体起源坑；以及被形成在所述第一无杂区和所述第二无杂区之间的体区，其中体微缺陷的浓度分布在体区内基本上是常数；其中硅晶片凝聚有1×1012个原子/cm3至1×1014个原子/cm3的氮。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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