[发明专利]一种半导体器件和制作方法有效
| 申请号： | 200410092306.0 | 申请日： | 2004-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1630025A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，含有一个底切的的弛豫SiGe层，该SiGe层下含有空隙。空隙可以填充电介质例如SiO2。在弛豫的SiGe层上可以外延生长一个应变Si层，以结合了一个无缺陷应变Si表面和一个绝缘层上的硅衬底的优点。弛豫的SiGe层可以相对较薄，厚度小于临界厚度。这样，该结构能够容纳浅结，显示出降低的结电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包括步骤：在衬底上形成一个Si1-xGex层；在Si1-xGex层和衬底中形成多个沟道；去掉Si1-xGex层下面的一部分衬底以在衬底中形成空隙；以及以一种电介质材料填充所述沟道和空隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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