[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 200410090350.8 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1614795A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 池田亚矢子;永井阳一;中村孝夫 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件，具备由氮化物半导体形成的第1导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在第1导电型半导体层上的第2导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在第1导电型半导体层和第2导电型半导体层之间的活性层；与第1导电型半导体层电连接的第1电极；以所定的图案设在第2导电型半导体层上的第2电极；和设在第2导电型半导体层上和上述第2电极上的金属反射膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：由氮化物半导体形成的第1导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在上述第1导电型半导体层上的第2导电型半导体层；由氮化物半导体形成的，设在上述第1导电型半导体层和第2导电型半导体层之间的活性层；与上述第1导电型半导体层电连接的第1电极；以所定的图案设在上述第2导电型半导体层上的第2电极，和设在上述第2导电型半导体层上和第2电极上的金属反射膜。
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