[发明专利]半导体发光元件无效

专利信息
申请号: 200410085494.4 申请日: 2004-10-18
公开(公告)号: CN1601773A 公开(公告)日: 2005-03-30
发明(设计)人: 蔡宗良;张智松;简伟恩;陈泽澎 申请(专利权)人: 国联光电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人: 曾旻辉;胡杰
地址: 台湾省新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭露一种半导体发光元件,其包含有一基板,一覆盖该基板第一表面的N型电极,一覆盖该基板第二表面的作用层,一覆盖该作用层的P型半导体层,一覆盖该P型半导体层的反射层,以及一覆盖该反射层的P型电极。其中,该反射层为一具有高反射效率的金属层,用以避免该半导体发光元件的光源被该P型电极吸收。
搜索关键词: 半导体 发光 元件
【主权项】:
1、一种半导体发光元件,其特征在于:该半导体发光元件包含有:一基板(substrate);一N型电极(n-type electrode),设于所述的基板的底表面;一作用层(active layer),设于所述的基板的顶表面;一P型半导体层,覆盖于所述的作用层上;一反射层,位于所述的P型半导体层上;以及一P型电极(p-type electrode),覆盖于所述的反射层上。
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