[发明专利]高密度电浆化学气相沉积制程及改善膜厚均匀性的方法有效
| 申请号： | 200410082481.1 | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1753152A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 吕前宏;苏金达 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/365;H01L21/285;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高密度电浆化学气相沉积制程，此沉积制程是先于晶圆上进行第一沉积步骤；然后，将晶圆旋转一角度；接着，进行第二沉积步骤，以完成薄膜的沉积。特别是，由上述制程所沉积的薄膜具有均匀的膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 化学 沉积 改善 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高密度电浆化学气相沉积制程，其特征在于，包括：于一晶圆上进行一第一沉积步骤；将该晶圆旋转一角度；以及进行一第二沉积步骤，以完成一薄膜的沉积，且所沉积的该薄膜具有均匀的膜厚；其中用于沉积该薄膜的一沉积机台具有n个反应气体输出孔，且该第一沉积步骤与该第二沉积步骤是总共经历一时间间隔，而且在经历1/2的该时间间隔时，该晶圆所旋转的该角度为360/2n度，且该n为正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
