[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，首先，在半导体衬底上形成下电极膜，然后在下电极膜上形成铁电膜。之后，在铁电膜上形成上电极膜。当形成上电极时，首先，在铁电膜上形成IrO_x膜，该IrO_x膜含有形成之时被结晶化的小晶体，然后形成含有柱状晶体的IrO_x膜。使用本发明，即使在铁电膜薄化时仍然能够产生铁电膜特性。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底；下电极，形成在所述半导体衬底上；铁电膜，形成在所述下电极上；以及上电极，形成在所述铁电膜上，所述上电极包括导电氧化膜，当所述导电氧化膜在所述上电极的最下层形成时，该导电氧化膜被结晶化。