[发明专利]非挥发性半导体存储器件无效
| 申请号： | 200410080720.X | 申请日： | 2004-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1758377A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 松井克晃 | 申请（专利权）人： | 沖电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是关于一种非挥发性半导体存储器件，提供了一种能够加速存储速度和减少占用面积的非挥发性半导体存储器件。根据本发明的非挥发性半导体存储器件中所采用的每个存储单元晶体管都设置有一个控制栅极，能够在操作中采取一第一电源电压(VCC)和一高于该第一电源电压的第二电源电压(VPP)。在一将控制栅极(WL)驱动到该第一电源电压(VCC)的第一NMOS晶体管和一连接到该第一电源电压(VCC)的栅极的控制信号(/ER)之间设有一个第二NMOS晶体管。该第二NMOS晶体管的源极被输入该控制信号(/ER)并且其漏极与该第一NMOS晶体管的栅极相连接。该第一NMOS晶体管并联设置一PMOS晶体管。一由所述NMOS和PMOS晶体管构成的传输栅极驱动该控制栅极(WL)。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性半导体存储器件，其特征在于其包括：存储单元晶体管，每个存储单元晶体管都具有一浮动栅极和一控制栅极(WL)；其中所述存储单元晶体管的控制栅极(WL)根据一操作状态在其选定时，接受一第一电源电压(VCC)和一第二电源电压(VPP)，该第二电源电压(VPP)高于所述第一电源电压，以及其中一第一NMOS晶体管被设置于第二NMOS晶体管和控制信号(/ER)之间，所述第一NMOS的源极连接到，控制信号(/ER)用于控制一将所述控制栅极(WL)驱动到所述第一电源电压(VCC)的所述第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的漏极连接到所述第二NMOS晶体管的栅极，并且所述第一NMOS晶体管的栅极连接到所述第一电源电压(VCC)，一PMOS晶体管与所述第二NMOS晶体管并联设置，并且所述控制栅极(WL)被一包括所述第二NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的传输栅极驱动。
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