[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200410079864.3 申请日: 2004-09-23
公开(公告)号: CN1601713A 公开(公告)日: 2005-03-30
发明(设计)人: 尾形义春 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/58
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体装置的制造方法,在半导体装置所使用的基板上形成有布线图案和保护膜,该保护膜具有矩形开口,利用该开口之外的区域覆盖布线图案。在包括开口、该开口与保护膜的边界的范围,按照在布线图案与基板的段差中形成气泡那样,粘贴粘接片并加热软化。通过粘接片,将半导体元件粘接在基板上。保护膜,具有与开口的角部连通的槽,让粘接片避开至少一部分槽而进行粘贴,通过加热粘接片并让其软化,让气泡通过槽排出。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体装置的制造方法,在半导体装置所使用的基板上形成有布线图案和保护膜,该保护膜具有矩形开口,利用该开口之外的区域覆盖所述布线图案,其特征在于,包括:在包括所述开口、该开口与所述保护膜的边界的范围中,按照在所述布线图案与所述基板的段差中形成气泡那样,粘贴粘接片的步骤;加热所述粘接片并让其软化的步骤;和通过所述粘接片,将半导体元件粘接在所述基板上的步骤;所述保护膜,具有与所述开口的角部连通的槽;让所述粘接片避开至少一部分所述槽而进行粘贴;通过加热所述粘接片并让其软化,让所述气泡通过所述槽排出。
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