[发明专利]成膜方法、配线图案的形成方法、半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200410074936.5 | 申请日： | 2004-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1591108A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 丰田直之 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高效率、高生产性能，可形成高信赖性膜的成膜方法。本发明的成膜方法，其特征在于，在通过将基体材料(5)上形成的转印层(6)转印在被处理材料(1)上，该被处理材料(1)上形成所定膜的成膜方法中，包括对被处理材料(1)的表面，利用化学的相互作用，提高上述转印层(6)对该处理材料(1)密接性的表面处理工序。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 线图 形成 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，是在通过将基体材料上形成的转印层转印在被处理材料上，在该被处理材料上形成所定膜的成膜方法，其特征在于，包括：对上述被处理材料的表面，通过化学的相互作用，提高上述转印层对该被处理材料的密接性的表面处理工序。
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