[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 200410074601.3 | 申请日： | 2004-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1595534A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 县政志;白滨政则;川崎利昭;西原龙二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件，包括：第一位单元，第一位单元包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管的源极和漏极连接以形成第一控制栅，第二MOS晶体管具有与第一MOS晶体管公共的浮栅；第二位单元，第二位单元包括第三MOS晶体管和第四MOS晶体管，第三MOS晶体管的源极和漏极连接以形成第二控制栅，第四MOS晶体管具有与第三MOS晶体管公共的浮栅；以及差分放大器，接收来自各个第二和第四MOS晶体管的漏极的输入信号。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，包括：第一位单元，所述第一位单元包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，所述第一MOS晶体管形成在半导体衬底上，其源极和漏极连接以形成第一控制栅，所述第二MOS晶体管具有与所述第一MOS晶体管共用的浮栅；第二位单元，所述第二位单元包括第三MOS晶体管和第四MOS晶体管，所述第三MOS晶体管形成在所述半导体衬底上，其源极和漏极连接以形成第二控制栅，所述第四MOS晶体管具有与所述第三MOS晶体管共用的浮栅；以及差分放大器，所述差分放大器形成在所述半导体衬底上并接收来自各个所述第二和第四MOS晶体管的漏极的输入信号。
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