[发明专利]薄膜半导体衬底及制造方法、薄膜半导体器件及制造方法无效
| 申请号： | 200410071612.6 | 申请日： | 2004-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1577895A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 平松雅人;木村嘉伸;小川裕之;十文字正之;松村正清 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/00;H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜半导体衬底，包括绝缘衬底(10)、形成在绝缘衬底(10)上的非晶半导体薄膜(14)、以及位于半导体薄膜(14)上并指示晶化参考位置的多个对准标记(MK)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 衬底 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜半导体衬底，其特征在于包括：绝缘衬底(10)；形成在该绝缘衬底(10)上的非晶半导体薄膜(14)；以及位于所述半导体薄膜(14)上并指示晶化的参考位置的多个对准标记(MK)。
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