[发明专利]半导体存储器无效

专利信息
申请号: 200410071459.7 申请日: 2004-06-10
公开(公告)号: CN1574096A 公开(公告)日: 2005-02-02
发明(设计)人: 西川和予;西村始修 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邸万奎;黄小临
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 当对非易失性存储器的一个逻辑地址提供多个物理地址存储器时,对用于一个逻辑地址的写入操作搜寻在多个物理地址存储器中包括的空物理地址存储器,然后,将数据写入这个空物理地址存储器。对用于一个逻辑地址的读取操作,搜寻数据最终被写入的物理地址存储器,并读出该存储器的存储内容。结果,对一个逻辑地址采用简单的电路布置执行非易失性存储器的数据重写操作,而不执行擦除操作,并且不增加存储器的面积,而且也不将数据重写操作的总数限制到存储器技术规范所规定的数目。
搜索关键词: 半导体 存储器
【主权项】:
1、一种半导体存储器,包括:存储器装置,用于对一个逻辑地址分配多个物理地址存储器;写入目的选择装置,用于在所述多个物理地址存储器中选择空物理地址存储器;以及写入装置,用于将数据写入所选择的空物理地址存储器。
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