[发明专利]半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410069751.5 | 申请日： | 2004-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1588645A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 叶光兆;徐文斌 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成于半导体基底上的一种薄膜晶体管，包括一多晶硅层、一栅极绝缘层、一氢原子供应层以及一栅极。多晶硅层形成于半导体基底上，其中多晶硅层的二侧端分别作为薄膜晶体管的源极与漏极，而该多晶硅层的中央部位则做为薄膜晶体管的通道。栅极绝缘层形成于多晶硅层上，氢原子供应层形成于栅极绝缘层上。其中氢原子供应层供应氢原子至多晶硅层的通道，使该多晶硅层中的多个未饱和键得以形成多个氢键，以避免该等未饱和键降低通道的载体移动效能。而栅极形成于氢原子供应层上表面，且位于通道的正上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 与其 中的 多晶 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，形成于一半导体基底上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：一多晶硅层，形成于该半导体基底上，其中该多晶硅层的二侧端分别作为该薄膜晶体管的源极与漏极，而该多晶硅层的中央部位则做为该薄膜晶体管的通道；一栅极绝缘层，形成于该多晶硅层上；一氢原子供应层，形成于该栅极绝缘层上；以及一栅极，形成于该氢原子供应层上表面，且位于该通道的正上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410069751.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
