[发明专利]半导体二极管电极的制造方法有效
| 申请号： | 200410064919.3 | 申请日： | 2004-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1588625A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 吴念博 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/861 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体二极管电极的制造方法，其特征在于：依次包括以下步骤：(1)在形成半导体二极管的硅片两个电极面上，用蒸发或溅射方法堆积金属铝层；(2)然后在硅片正反两个面的金属铝层外，同时电镀金属镍层；(3)对硅片正面的金属层进行光刻处理，形成图形；(4)对带上述金属层的硅片加温进行合金化片理。本发明由于在镀镍时可避免有原区与电镀液直接接触，因此有原区表面带来的污染从理论上为零，从而改善了半导体器件电极的欧姆接触，降低了电力消耗，提高了工作可靠性以及降低成本，对提高半导体二极管的市场竞争力以及电子产品小型化、便携式以及低电力损耗具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体二极管电极的制造方法，其特征在于：依次包括以下步骤：(1)、在形成半导体二极管的硅片两个电极面上，用蒸发或溅射方法堆积金属铝层；(2)、然后在硅片正反两个面的金属铝层外，同时电镀金属镍层；(3)、对硅片正面的金属层进行光刻处理，形成图形；(4)、对带上述金属层的硅片加温进行合金化处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州固锝电子股份有限公司，未经苏州固锝电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410064919.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
