[发明专利]半导体功率模块和该模块的主电路电流测量系统有效
| 申请号： | 200410059314.5 | 申请日： | 2004-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1577785A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 岩上彻;白川真也;濑尾护;坂居正喜;王东 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/60;H02H3/087 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体功率模块，检测主电路电流而不使用分流电阻，同时可降低模块的布线电感。该半导体功率模块包括检测流过半导体功率元件的主电路电流的检测部(12b)。检测部包括：第一和第二电路图形(14b、15b)；与第一和第二电路图形在键合点(C、D)连接的键合线(16)；以及从键合点(C、D)附近分别突出的一对端子图形(18b、19b)。通过从第一电路图形通过键合线向第二电路图形流过主电路电流，并检测一对端子图形间的电位差，检测在键合线的两端间产生的电位差。第一或第二电路图形包括与键合线相邻并且大致平行地延长的区域(G)。流过区域(G)和键合线的主电路电流的方向为大致相反方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 模块 电路 电流 测量 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率模块，包括检测流过半导体功率元件的主电路电流的检测部，其特征在于，检测部包括：第一和第二电路图形；在第一和第二键合点分别连接于第一和第二电路图形的键合线；以及从第一和第二电路图形的第一和第二键合点附近分别突出的一对端子图形；通过从第一电路图形通过键合线在第二电路图形中流过主电路电流来检测一对端子图形间的电位差，检测在键合线的两端间产生的电位差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
