[发明专利]磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法无效
申请号: | 200410058626.4 | 申请日: | 2004-07-23 |
公开(公告)号: | CN1577845A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | 中岛健太郎;天野实;上田知正;高桥茂树 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;G11C11/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 岳耀锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法。其中,在基板上形成绝缘层,在上述绝缘层上形成下部电极,在上述下部电极的上表面上形成磁阻效应膜,该磁阻效应膜包含绝缘阻挡层、和夹着该绝缘阻挡层而层叠的多个磁性体膜,在上述磁阻效应膜之上层叠掩模层,把上述掩模层用作掩模对上述磁阻效应膜进行离子蚀刻加工,形成磁阻效应元件,在上述掩模、上述磁阻效应元件、和上述下部电极的上表面上形成绝缘膜,利用离子束对上述绝缘膜进行蚀刻以使上述磁阻效应元件的侧面露出。 | ||
搜索关键词: | 磁存储器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁存储器装置,具有:基板;以及在上述基板上形成的布线层,上述布线层包含:下部电极;配置在上述下部电极之上、包含绝缘阻挡层而构成的磁阻效应元件;层叠在上述磁阻效应元件之上的至少一个接触层;以及与上述接触层连接的上部布线,上述包含绝缘阻挡层的磁阻效应元件的侧面相对于其底面形成的锥形角小于等于约60度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的