[发明专利]磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200410058626.4 申请日: 2004-07-23
公开(公告)号: CN1577845A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: 中岛健太郎;天野实;上田知正;高桥茂树 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/00 分类号: H01L27/00;G11C11/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 岳耀锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法。其中,在基板上形成绝缘层,在上述绝缘层上形成下部电极,在上述下部电极的上表面上形成磁阻效应膜,该磁阻效应膜包含绝缘阻挡层、和夹着该绝缘阻挡层而层叠的多个磁性体膜,在上述磁阻效应膜之上层叠掩模层,把上述掩模层用作掩模对上述磁阻效应膜进行离子蚀刻加工,形成磁阻效应元件,在上述掩模、上述磁阻效应元件、和上述下部电极的上表面上形成绝缘膜,利用离子束对上述绝缘膜进行蚀刻以使上述磁阻效应元件的侧面露出。
搜索关键词: 磁存储器 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁存储器装置,具有:基板;以及在上述基板上形成的布线层,上述布线层包含:下部电极;配置在上述下部电极之上、包含绝缘阻挡层而构成的磁阻效应元件;层叠在上述磁阻效应元件之上的至少一个接触层;以及与上述接触层连接的上部布线,上述包含绝缘阻挡层的磁阻效应元件的侧面相对于其底面形成的锥形角小于等于约60度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410058626.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top