[发明专利]一种芯片散热片上片方法无效
申请号: | 200410053869.9 | 申请日: | 2004-08-20 |
公开(公告)号: | CN1738012A | 公开(公告)日: | 2006-02-22 |
发明(设计)人: | 陈金华 | 申请(专利权)人: | 威宇科技测试封装有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/02;H01L23/34 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 201203上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种芯片散热片的上片方法。传统的方法中,每次只能对单个芯片进行上片操作,因此效率较低。本发明的一种芯片散热片的上片方法,包括:将排列成阵列的芯片输入到上片机中;准备与所述芯片的阵列相对应的散热片阵列;通过所述上片机上的多头吸嘴吸取所述散热片阵列,并将所述散热片阵列放置到所述芯片阵列上;将所述散热片阵列切割分开。本发明的优点在于一次可以对一个阵列的芯片进行上片,大大提高了上片效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 散热片 上片 方法 | ||
【主权项】:
1、一种芯片散热片的上片方法,包括:将排列成阵列的芯片输入到上片机中;准备与所述芯片的阵列相对应的散热片阵列;通过所述上片机上的多头吸嘴吸取所述散热片阵列,并将所述散热片阵列放置到所述芯片阵列上;将所述散热片阵列切割分开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威宇科技测试封装有限公司,未经威宇科技测试封装有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410053869.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:GaN半导体材料的异质外延方法
- 下一篇:三层槽串并联洗渣法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造