[发明专利]静电放电保护电路有效
| 申请号： | 200410048263.6 | 申请日： | 2004-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1716593A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赖纯祥;苏醒;吕佳伶;叶彦宏;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种静电放电保护电路，其是与一输入垫电性连接，该静电放电保护电路包括：一二极管，配置在一基底中，且此二极管是与上述的输入垫电性连接；一P型深井区，位于基底中；一N型井区，位于P型深井区中；一第一P+掺杂区，位于N型井区中，且第一P+掺杂区是与输入垫电性连接；一NMOS晶体管，位于基底上，其中此NMOS晶体管具有一闸极、一源极以及一汲极，且汲极是位于N型井区中并电性连接至一控制电路电源(Vcc)，而源极是位于P型深井区中；以及一第二P+掺杂区，位于P型深井区中。本发明的静电放电保护电路相较于传统的电路设计仅需要较小的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1、一种静电放电保护电路，其是与一输入垫电性连接，其特征在于该静电放电保护电路包括：一二极管，配置在一基底中，且该二极管是与该输入垫电性连接；一第一型态的深井区，位于该基底中；一第二型态的井区，位于该第一型态的深井区中；一第一型态的第一掺杂区，位于该第二型态的井区中，且其是与该输入垫电性连接；一第二型态的第二掺杂区，位于该第二型态的井区中，且其是电性连接至一控制电路电源(Vcc)；一第二型态的第三掺杂区，位于该第一型态的深井区中；以及一第一型态的第四掺杂区，位于该第一型态的深井区中。
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