[发明专利]基板的蚀刻处理方法及蚀刻处理装置有效
| 申请号： | 200410047378.3 | 申请日： | 2004-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1574251A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 铃木聪;富藤幸雄 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/306;C23F1/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 经志强;潘培坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种为了适应于基板的大型化，但不必将处理槽与之相应地大型化，也不会产生如浸渍处理时那样的蚀刻不良的装置。装置的构成包括：第一处理槽14；配置在第一处理槽14内、支承并搬运基板W的搬运辊20；配置在基板搬运路径的上方、向基板W的表面上喷出蚀刻液的喷射喷嘴22；与第一处理槽连接设置的第二处理槽28；配置在第二处理槽28内、支承并搬运基板W的搬运辊30；向从第一处理槽14内被搬出、并被搬入到第二处理槽28内的基板W的表面供应蚀刻液、在基板W的整个表面上装满蚀刻液的排出喷嘴32。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种基板的蚀刻处理方法，向基板的表面供应蚀刻液，将形成在基板的表面上的金属被膜蚀刻成规定的图形，其特征在于包括：向基板的表面上喷射蚀刻液，主要沿膜厚方向蚀刻金属被膜的第一工序；在根据该第一工序的蚀刻之后，向基板的表面上供应蚀刻液，在基板的整个表面上装满蚀刻液，主要沿膜面方向蚀刻金属被膜的第二工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
