[发明专利]GaN基LED倒扣焊组合和灯具及晶片水平的倒扣焊工艺

摘要

本发明揭示新型大功率半导体芯片或器件(包括GaN基发光二极管)倒扣焊组合和灯具，以及低成本的晶片水平的倒扣焊的制造工艺方法。属于半导体光电子技术领域。本发明包括：半导体芯片或器件的外延层倒扣焊到衬底基片，剥离衬底晶片，沉积特定形状的电极到外延层上，切割成半导体芯片或器件倒扣焊组合，设计新型灯具以便减少全内反射。本发明的优越性是：(1)制造工艺方法简单；(2)不需要昂贵的芯片水平的倒扣焊设备；(3)生产效率高；(4)好的散热效率；(5)电流分布均匀，电流密度提高；(6)光取出效率提高；(7)除去全内反射。

主权项

1.一种生产半导体芯片或器件倒扣焊组合的晶片水平的倒扣焊工艺方法，包括下列步骤：准备一个精密研磨/抛光的厚度均匀的衬底晶片；准备一个精密研磨/抛光的厚度均匀的衬底基片；在所述的衬底晶片上生长一个外延层以构成一片半导体芯片或器件的外延晶片；所述的外延层包括第一限制层，发光层，和第二限制层；其中第一限制层的厚度是事先决定的用以补偿所述的衬底晶片和衬底基片的厚度变化；沉积焊接层于衬底基片上；键合所述的第二限制层和所述的焊接层以此形成一个键合晶片；从所述的键合晶片上剥离所述的衬底晶片，使所述的第一限制层暴露；沉积一个有特定形状的电极于所述的第一限制层；所述的特定形状的电极至少有一个打线点。