[发明专利]半导体装置的制造方法及使用这种方法的半导体衬底的制造方法

摘要

在半导体衬底(晶片)固定在载物台上的状态下的这个半导体衬底主面上，对于光平板印刷线的曝光光线的假设焦点平面不产生偏差。将晶片(10)固定在销夹头(pin chuck)(20)上，接下来，向固定地晶片(10)上用通过具有设计图案的掩膜的曝光光线曝光，在晶片(10)的主面上复印设计图案。晶片(10)的背面(10b)具有剖面凸凹形状周期在300μm以上的弯曲和开口直径在100μm以下的凹陷部分(10c)，形成为弯曲的深度和凹陷部分的深度的算数平均值在200nm以下的样子。还有，曝光光线的焦点位置和固定在销夹头(20)上的晶片(10)的主面之间的距离差设定在设计标准的50％以下。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：将半导体衬底固定在衬底载物台上的第1工序，以及通过由透过固定在上述半导体衬底主面上的有设计图案的掩膜的曝光光线曝光、向上述半导体衬底的主面上复印上述设计图案的第2工序，其特征为：位于上述半导体衬底主面的另一侧面的背面，形成有剖面为凸凹状的周期为300μm以上的弯曲和开口部分口径为100μm以下的凹陷部分，且上述弯曲的深度和上述凹陷部分的深度的算数平均值为200nm以下；上述第2工序中，设定上述曝光光线的焦点位置和固定在上述衬底载物台上的上述半导体衬底的主面的距离差在设计标准的50％以下。