[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 200410038425.8 | 申请日： | 2004-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1551241A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 松江一机 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于：在具有由可电改写的非易失性的多个存储单元构成的存储区和使电源电压升压、发生在上述存储区的改写中所需要的电压的升压电路的非易失性半导体存储器件中，提供防止在器件内部的电源电压的降低，能够稳定地向存储区进行数据改写的非易失性半导体存储器件。非易失性半导体存储器件配备：判定存储区(24)的改写时的半导体存储器件内的规定节点的电压电平的电压判定部(38)；以及根据电压判定部(38)的判定结果，决定一次改写的输入数据的位数的改写单位决定部(44)。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于：配备：由可电改写的非易失性的多个存储单元构成的存储区；使电源电压升压，发生在上述存储区的改写中所需要的电压的升压电路；判定在上述存储区的改写时的上述半导体存储器件内的规定节点的电压电平的电压判定部；以及根据上述电压判定部的判定结果，决定一次改写的输入数据的位数的改写单位决定部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410038425.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有滑移盖板的容器
- 下一篇：显示控制电路及显示驱动电路
