[发明专利]一种集成电路结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200410037817.2 | 申请日： | 2004-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1551330A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 吴振诚;卢永诚;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王燕秋 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改良的集成电路结构，此结构包括邻近的传导性介电层，这些传导层与介电层具有一连续而平面的上表面。此集成电路结构通过一制程方法而产生，此制程方法包含以一硅烷化合物处理此表面，接着在此表面上沉积一蚀刻停止层，其中并没有施加一粘着层到此表面上。本发明还提供一种制造该集成电路结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路结构，其特征在于：该结构包括邻近的传导性介电层，这些传导层与介电层具有一连续而平面的上表面，该集成电路结构通过一制造方法而产生，该制造方法至少包含：以一硅烷化合物处理该表面；在该表面上沉积一蚀刻停止层；其中并没有施加一粘着层到该表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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