[发明专利]发光的光学半导体主体有效

专利信息
申请号: 200410036704.0 申请日: 1997-09-22
公开(公告)号: CN1558455A 公开(公告)日: 2004-12-29
发明(设计)人: K·霍恩;A·德布雷;P·施洛特尔;R·施米特;J·施奈登 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01S5/00;C09K11/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;王忠忠
地址: 联邦德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种发光的光学半导体主体(1),该半导体主体在工作时从紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中发出电磁辐射,直接在所述半导体主体(1)上敷设有一个包含有发光色料(6)的层(4),该发光色料由一个掺有稀土的磷光体族构成,其粒度≤20μm且d50-值≤5μm,所述发光色料把来自于所述紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中的辐射的一部分变换成具有更大波长的辐射,使得该半导体主体(1)发出混合的辐射、尤其是混合色的光,该混合的辐射或光由所述具有更大波长的辐射和所述紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中的辐射组成。
搜索关键词: 发光 光学 半导体 主体
【主权项】:
1.一种发光的光学半导体主体(1),该半导体主体在工作时从紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中发出电磁辐射,其特征在于:直接在所述半导体主体(1)上敷设有一个包含有发光色料(6)的层(4),该发光色料由一个掺有稀土的磷光体族构成,其粒度≤20μm且d50-值≤5μm,所述发光色料把来自于所述紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中的辐射的一部分变换成具有更大波长的辐射,使得该半导体主体(1)发出混合的辐射、尤其是混合色的光,该混合的辐射或光由所述具有更大波长的辐射和所述紫外光、蓝光和/或绿光频谱区域中的辐射组成。
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