[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200410034710.2 | 申请日： | 2004-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1691353A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张世昌;蔡耀铭 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种薄膜晶体管及其制作方法。上述薄膜晶体管包括一基底，包含有第一薄膜晶体管区域以及第二薄膜晶体管区域。第一有效层与第二有效层是分别形成于基底的第一薄膜晶体管区域与第二薄膜晶体管区域上。第一栅极绝缘层是形成于第一有效层与第二有效层上。第一栅极层是形成于第一薄膜晶体管区域的第一栅极绝缘层上。第二栅极绝缘层是直接形成于第二薄膜晶体管区域的第一栅极绝缘层上，以及第二栅极层是形成于第二薄膜晶体管区域的该第二栅极绝缘层上。其中，第一薄膜晶体管区域中第一栅极层下方的绝缘层厚度为第一栅极绝缘层的厚度，而第二薄膜晶体管区域中第二栅极层下方的绝缘层厚度为第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层的总和厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于所述薄膜晶体管包括：一基底，其包含有一第一薄膜晶体管区域以及一第二薄膜晶体管区域；一第一有效层与一第二有效层，是分别形成于该基底的该第一薄膜晶体管区域与该第二薄膜晶体管区域上；一第一栅极绝缘层，是形成于该第一有效层与第二有效层上；一第一栅极层，是形成于该第一薄膜晶体管区域内的该第一栅极绝缘层上；一第二栅极绝缘层，是形成于该第一栅极绝缘层上；以及一第二栅极层，是形成于该第二薄膜晶体管区域内的该第二栅极绝缘层上；其中，该第一薄膜晶体管区域中该第一栅极层下方的绝缘层厚度为该第一栅极绝缘层的厚度，而该第二薄膜晶体管区域中该第二栅极层下方的绝缘层厚度为该第一栅极绝缘层与该第二栅极绝缘层的总和厚度。
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