[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410031446.7 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1585131A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 南孝宜;说田雄二 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 经志强;潘培坤 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供半导体器件及其制造方法，半导体器件包括栅极互连24a，形成在半导体衬底14上，并包括栅极，栅极互连与半导体衬底间形成栅极绝缘膜22；靠近栅极互连24a端部形成的第一源极/漏极扩散层28；远离栅极互连24a及第一源极/漏极扩散层28形成的第二源极/漏极扩散层34；栅极互连24a、第一源极/漏极扩散层28和第二源极/漏极扩散层34上形成的绝缘膜40，并形成槽形开口42a，整体显露栅极互连24a、第一源极/漏极扩散层28之一和第二源极/漏极扩散层34之一；槽形开口42a中埋置的接触层48a。能成功形成用于埋置接触层48a的槽形开口42a。由此，可提供实现微粉化而不会降低可靠性和产量的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一栅极互连，形成在半导体衬底上，并包括一栅极，在该栅极互连与该半导体衬底之间形成有一栅极绝缘膜；一第一源极/漏极扩散层，形成在靠近该栅极互连端部的该半导体衬底中；一第二源极/漏极扩散层，形成在远离该栅极互连和该第一源极/漏极扩散层的该半导体衬底中；一绝缘膜，形成在该栅极互连、该第一源极/漏极扩散层和该第二源极/漏极扩散层上，并具有一用以整体显露该栅极互连、该第一源极/漏极扩散层之一和该第二源极/漏极扩散层之一的槽形开口；及一接触层，埋置在该槽形开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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