[发明专利]掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200410030569.9 | 申请日： | 2004-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1683609A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王国富;黄新阳;林州斌;胡祖树;张莉珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B15/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域。采用提拉法，在1065℃温度下，以10－35转/分钟的晶体转速，0.5－0.6毫米/小时的拉速生长。该晶体属四方晶系，I4(1)/a(C4h6)空间群，密度为3.152g/cm3，折射率2.0。该晶体在805nm处有一强的吸收峰，吸收截面1.88×10－20cm2，半峰宽18nm，适合于采用激光二极管(LD)来泵浦，在波长1062nm有强的荧光发射峰，发射跃迁截面为21.7×10－20cm2，易于产生波长为1062nm的激光输出，有望获得实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 掺钕钨酸镧锂 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺钕钨酸镧锂激光晶体，其特征在于：该激光晶体中钨酸镧锂作为激光基质晶体，其分子式为LiLa(WO4)2，属于四方晶系，空间群为I4(1)/a(C4h6)，晶胞参数为a＝b＝5.332，c＝11.523，V＝328.983，Dc＝3.152g/cm3；Nd3+离子作为激光激活离子，掺杂于晶体中，取代晶体中La3+离子的晶格位置，其掺杂浓度在0.5at.-15at.％之间。
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