[发明专利]高频介质电容器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200410027070.2 申请日: 2004-04-30
公开(公告)号: CN1691225A 公开(公告)日: 2005-11-02
发明(设计)人: 欧明;吴浩;谭斌;司留启;黄浩;南永涛;李洁芳 申请(专利权)人: 广东风华邦科电子有限公司
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/008;H01G4/005;H01G13/00
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 代理人: 戴建波
地址: 526020广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种高频介质电容器及其制备方法,该高频介质电容器包括高频介质层和电极,一个该电容器其中仅具有一个介质层,而该介质层是多层介质膜逐层叠压而成的均质体,介质层的介电常数在8~130之间;电极为金属化的单层导电膜、或多层复合的导电膜,单层导电膜为Ag、Au、Ag-Pd膜中之一,多层复合的导电膜为W-Ti/Au、W-Ti/Ag、W-Ti/Ni/Au-Sn、W-Ti/Ni/Ag-Sn复合膜中之一。本发明提供一种能够综合地、较好地提高小容量产品的容量命中率、使小尺寸电容器的尺寸与设计容量值精确配合、使微波瓷料与电极材料更好地匹配、更多地减小设计值以外的随机分布电容、电感和等效电阻的高频介质电容器。
搜索关键词: 高频 介质 电容器 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种高频介质电容器,所述高频介质电容器包括高频介质层和电极,一个该电容器中仅具有一个所述介质层,其特征在于:所述介质层是多层介质膜逐层叠压而成的均质体,所述介质层的介电常数在8~130之间;所述的电极为金属化的单层导电膜、或多层复合的导电膜,所述的单层导电膜为Ag、Au、Ag-Pd膜中之一,所述的多层复合的导电膜为W-Ti/Au、W-Ti/Ag、W-Ti/Ni/Au-Sn、W-Ti/Ni/Ag-Sn复合膜中之一。
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