[发明专利]一种偏振无关半导体光放大器无效
| 申请号： | 200410012960.6 | 申请日： | 2004-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1564407A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 马宏;陈四海;赖建军;易新建 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种偏振无关半导体光放大器，依次包括InP衬底、n型InP缓冲层，张应变量子阱结构有源区、p型InP包层、p型InGaAs接触层，其顶层和底层附有电极，其特征在于：张应变有源区的材料为AlGaInAs。本发明在光放大器有源区采用AlGaInAs材料，能更有效地阻止电子穿越势垒层泄漏，改善器件的高温特性。本发明偏振灵敏度底，温度特性好，可以广泛应用于光网络、光子集成和光电子集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 无关 半导体 放大器 | ||
【主权项】：
1、一种偏振无关半导体光放大器，依次包括InP衬底、n型InP缓冲层，张应变量子阱结构有源区、p型InP包层、p型InGaAs接触层，其顶层和底层附有电极，其特征在于：张应变有源区的材料为AlGaInAs。
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