[发明专利]半导体发光元件、其制造方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 200410010488.2 | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1630109A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 大山尚一;村上哲朗;仓桥孝尚;山本修;中津弘志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括：半导体压层，其包括发射预定发射波长的光的有源层；以及衬底，其相对所述发射波长透明，并且与所述压层直接相连，其中：在所述半导体压层中形成有阶梯，该阶梯位于从所述半导体压层的一个表面超过所述有源层的一个深度位置，该表面与所述半导体压层和所述衬底之间的直接连接介面相对，以及所述半导体压层的所述表面和所述阶梯上分别形成有第一电极和第二电极。
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