[发明专利]提高金属－介质－金属结构电容性能的方法无效
| 申请号： | 200410009984.6 | 申请日： | 2004-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1787171A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈晓娟;和致经;刘新宇;刘键;吴德馨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/31;H01G4/33 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，是关于一种应用于半导体无源元件制作工艺中改善金属－介质－金属(MIM)电容质量的方法。该方法，包括如下步骤：步骤1：在基板上，光刻形成电容下极板图形；步骤2：依次蒸发钛/金/钛形成电容下极板；步骤3：淀积介质层；步骤4：制作空气桥；步骤5：光刻上极板图形，采用电镀方法形成上极板。本发明的工艺方法简单，成本低，重复性很好，得到的电容器件的特性较之传统工艺有很大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 金属 介质 金属结构 电容 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高金属-介质-金属结构电容性能的方法，应用于半导体无源器件的金属-介质-金属覆盖电容制作工艺中，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在基板上，光刻形成电容下极板图形；步骤2：依次蒸发钛/金/钛形成电容下极板；步骤3：淀积介质层；步骤4：制作空气桥；步骤5：光刻上极板图形，采用电镀方法形成上极板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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