[发明专利]发光半导体装置的缓冲层有效
| 申请号： | 200410008637.1 | 申请日： | 2004-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1667843A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄登凯;李志翔 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光半导体装置的缓冲层，是由复数层氮化金属层堆叠形成于蓝宝石基板上所构成。此缓冲层为先在高温下以氨气使蓝宝石(sapphire)基板表面进行氮化，以形成一氮化铝(AlN)金属层，接着再于此氮化铝(AlN)金属层上，通过有机金属原料与氨气于高温下反应，以成长出复数层氮化金属层，从而获得高品质、低缺陷的缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体 装置 缓冲 | ||
【主权项】：
1.一种发光半导体装置的缓冲层，该发光半导体装置包括基板、位于该基板上的该缓冲层、在该缓冲层上并用以发光的半导体层，以及用以外接电压的电极，其中该缓冲层包括：形成于该基板上的氮化铝金属层，其中该氮化铝金属层是于高温下通过氨气使该基板表面进行氮化反应所形成；以及成长于该氮化铝金属层上的复数层氮化金属层，其中该复数层氮化金属层为通过有机金属原料与氨气于高温下反应所成长出金属薄膜。
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