[发明专利]薄膜制作方法和系统

摘要

本发明的目的是在一个过程中可再现地形成薄膜，所述过程用于通过等离子体CVD在面向在基片中形成的空间的内壁表面上形成薄膜。薄膜22被产生于基片20的内壁表面20b上，该表面面向在基片20中形成的空间23。基片20被包含在用于等离子体CVD过程的室中。用于等离子体反应的气体然后被流到空间23中并且脉冲电压被施加于基片20上，而基本上不将直流偏置电压施加于基片20上，从而在内壁表面20b上形成薄膜。

主权项

1.一种通过等离子体CVD在面向在所述基片中形成的空间的基片的内壁表面上产生薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：在用于等离子体CVD的室中提供所述基片；以及将用于等离子体反应的气体流到所述空间中并将脉冲电压施加于所述基片上而基本上不将直流偏置电压施加于所述基片上，从而在所述内壁表面上形成所述薄膜。