[发明专利]半导体组件的制造方法有效
| 申请号： | 200410005247.9 | 申请日： | 2004-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1527374A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 维贾·帕塔萨拉蒂;维什努·凯姆卡;祝荣华;阿米塔瓦·鲍斯;托德·罗根保尔;保罗·休;迈克尔·C·布特讷 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;樊卫民 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体组件的制造方法，包括：在半导体衬底(110)上形成第一电绝缘层(120)和第二电绝缘层(130)。该方法还包括：穿过第一和第二电绝缘层并进到半导体衬底中蚀刻第一沟槽(140)和第二沟槽(150)，并穿过第二沟槽的底表面并进到半导体衬底中蚀刻第三沟槽(610)。该第三沟槽具有第一部分(920)和在第一部分内部的第二部分(930)。该方法进而包括形成填充第一沟槽和第三沟槽的第一部分、而不填充第三沟槽的第二部分的第三电绝缘层(910)，还包括在第三沟槽的第二部分中形成插塞层(1010)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件的制造方法，该方法包括：提供具有上表面的半导体衬底；在上表面上形成第一电绝缘层；在第一电绝缘层上形成第二电绝缘层；穿过第二电绝缘层和第一电绝缘层并进到半导体衬底中蚀刻第一沟槽和第二沟槽，其中第二沟槽包括底表面；穿过第二沟槽的底表面并进到半导体衬底中蚀刻第三沟槽，其中第三沟槽具有第一部分和在第一部分内部的第二部分；在第二电绝缘层上、第三沟槽的第一部分中和第一沟槽中形成第三电绝缘层，而不填充第三沟槽的第二部分；和在第三沟槽的第二部分中形成插塞层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
