[发明专利]制造半导体集成电路器件的方法

摘要

一种制造半导体集成电路器件的方法，包括：在晶片的第一和第二区分别形成第一和第二栅电极图形；在该第一和第二栅电极图形的两侧分别形成第一和第二导电类型的半导体区；分别在第一和第二栅电极图形的侧壁上形成侧壁间隔层，并使硅膜的表面露出；由第一栅电极图形的硅膜形成第一导电类型的第一栅电极，并在其两侧形成第一导电类型的半导体区，由第二栅电极图形的硅膜形成第二导电类型的第二栅电极，在其两侧形成具有高杂质浓度的第二导电类型的半导体区；在晶片的主平面上淀积Co膜；对晶片进行热处理以在第一和第二栅电极的表面和在具有高杂质浓度的第一和第二导电类型的半导体区的表面上形成Co硅化物层；去除Co膜的未反应部分并对晶片进行热处理，以降低Co硅化物层的电阻。

主权项

1.一种制造半导体集成电路器件的方法，包括以下步骤：(a)在其上形成有栅绝缘膜的晶片的主平面上淀积硅膜和第一绝缘膜，并对所述第一绝缘膜和所述硅膜构图，以在所述晶片的第一区形成第一栅电极图形，在所述晶片的第二区形成第二栅电极图形；(b)将第一导电类型的杂质离子注入所述晶片的所述第一区以在所述晶片的所述第一栅电极图形的两侧形成第一导电类型的半导体区，并将第二导电类型的杂质离子注入所述晶片的所述第二区以在所述第二栅电极图形的两侧形成第二导电类型的半导体区；(c)对在所述晶片的所述主平面上淀积的第二绝缘膜构图，从而分别在所述第一和第二栅电极图形的侧壁上形成侧壁间隔层，并除去所述第一和第二栅电极图形的所述第一绝缘膜，从而使所述硅膜的所述表面露出；(d)将第一导电类型的杂质离子注入所述晶片的所述第一区以由所述第一栅电极图形的所述硅膜形成所述第一导电类型的第一栅电极，并在所述晶片的所述第一栅电极的两侧形成第一导电类型的半导体区，并将所述第二导电类型的杂质离子注入所述晶片的所述第二区以由所述第二栅电极图形的所述硅膜形成所述第二导电类型的第二栅电极，并在所述晶片的所述第二栅电极的两侧形成具有高杂质浓度的所述第二导电类型的半导体区；(e)使用Co靶，用溅射法在所述晶片的所述主平面上淀积Co膜；(f)对所述晶片进行第一热处理以使Co和Si互相反应以在所述第一和第二栅电极的所述表面和在具有高杂质浓度的所述第一和第二导电类型的半导体区的表面上形成Co硅化物层；并且(g)去除所述Co膜的未反应部分并且对所述晶片进行第二热处理以便降低所述Co硅化物层的电阻。