[发明专利]差动式变容器的集成电路结构有效
| 申请号： | 200410001282.3 | 申请日： | 2004-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1595650A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 高荣穗;施博议 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨;郭凤麟 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种差动式变容器的集成电路结构，包括：一p型基板；一n型阱区，设于该p型基板顶面；至少三个n型离子植入区，分别设于该n型阱区顶面；一金属联机，将所述的至少三个n型离子植入区相连接；一偏压控制点，其耦接所述的n型离子植入区；以及，一第一栅极及一第二栅极相连在一起。利用组合的方式设计差动式变容器的集成电路，寄生的效应可于制作过程中一并被考虑，进而降低对电路产生的不正确性，并有效缩小芯片体积，降低制作成本，且不会因绕线时有不对称的情况产生，更可于制造时得知可变电容整体的负载品质因素，以进一步有效控制可变电容整体的负载品质；其也不需重新定位联机相互对称的位置，以减少制作时的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 差动 容器 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种差动式变容器的集成电路结构，其中包括有：一p型基板；一n型阱区，设于该p型基板顶面；至少三个n型离子植入区，分别设于该n型阱区顶面；一金属联机，将所述的至少三个n型离子植入区相连接；一偏压控制点，其耦接所述的n型离子植入区；以及，一第一栅极及一第二栅极相连在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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