[发明专利]形成碳纳米管的方法无效
| 申请号: | 200380107266.6 | 申请日: | 2003-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN1853006A | 公开(公告)日: | 2006-10-25 |
| 发明(设计)人: | 康盛球;克雷格·贝 | 申请(专利权)人: | 赛得里姆显示器公司 |
| 主分类号: | C30B29/04 | 分类号: | C30B29/04;C30B29/06 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郭国清;樊卫民 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 使用等离子体化学淀积方法在基材表面上形成碳纳米管。在纳米管已经生长以后,在新近形成的纳米管结构上实施处理步骤。该后处理可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子控制纳米管层的厚度。在相同基材温度下,用等离子体实施后处理。对于该后处理,含氢气体用作等离子体源气体。在从纳米管生长停止转变到后处理步骤期间,等离子体处理室中的压力用上述纯化气体稳定,而不关闭该室中的等离子体。这消除了清除和抽空该等离子体处理室的需要。 | ||
| 搜索关键词: | 形成 纳米 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在基材组件上形成多个碳纳米管的方法,包括:通过等离子体化学淀积生长所述的多个碳纳米管;和通过等离子体腐蚀后处理所述的多个生长的碳纳米管。
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