[发明专利]研磨液组合物有效
| 申请号: | 200310124681.4 | 申请日: | 2003-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN1513934A | 公开(公告)日: | 2004-07-21 |
| 发明(设计)人: | 大岛良晓;西本和彦;萩原敏也 | 申请(专利权)人: | 花王株式会社 |
| 主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张元忠;庞立志 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 一种存储硬盘用基板的研磨液组合物,含有水和二氧化硅粒子,其中二氧化硅粒子具有如下的粒径分布,其中,粒径(R)和累积体积频率(V)的关系满足式(1)和式(2),该关系体现在粒径一累积体积频率的图中,该图通过绘制二氧化硅粒子的累积体积频率(%)来得到,该二氧化硅粒子的累积体积频率通过相对于二氧化硅粒子的粒径(nm)的小粒径一侧来计算;并且其中,在90%的累积体积频率(D90)的粒径为大于等于65nm并且小于105nm。通过使用本发明的研磨组合物,可以有效制备镀Ni-P的磁盘用基板,该基板磨后具有良好的表面光滑性,其中,微凹坑被有效减少。 | ||
| 搜索关键词: | 研磨 组合 | ||
【主权项】:
1、一种研磨液组合物,是含有水和二氧化硅粒子而成的、用于存储硬盘用基板的研磨液组合物,上述二氧化硅粒子,将从相对于通过透射式电子显微镜(TEM)观察测定得到的该二氧化硅粒子的粒径(nm)为小粒径的一侧的累积体积频率(%)绘图,在得到的该二氧化硅粒子的粒径对累积体积频率曲线图中,粒径5-40nm范围的累积体积频率(V)相对于粒径(R)满足下式(1):V≤2×(R-5) (1)和粒径20-40nm范围的累积体积频率(V)相对于粒径(R)满足下式(2):V≥0.5×(R-20) (2)且累积体积频率为90%的粒径(D90)在65nm或以上不足105nm的范围。
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