[发明专利]利用注入晶片的注入机的低能量剂量监测

摘要

本发明提供用于处理半导体晶片如硅的方法。该方法包括提供监测晶片，其中监测晶片由结晶材料制成。该方法包括将多个粒子引入材料的某个深度之中，其中多个粒子导致结晶材料成为非晶态。该方法还包括利用注入工具将多个掺杂物粒子引入非晶态的结晶材料的所选择的深度。非晶态捕获掺杂物粒子。该方法包括将包含多个粒子和掺杂物粒子的监测晶片进行热退火处理，以激活掺杂物。测量监测晶片的表面电阻率。如果监测晶片中的掺杂物粒子剂量在规定极限的容许范围之内，则该方法运行注入工具来对一个或多个产品晶片进行处理。

主权项

1.一种用于处理集成电路器件的方法，所述的方法包括：提供监测晶片，所述的监测晶片包含硅材料；在所述的硅材料的一定深度内引入多个粒子，从而所述的多个粒子导致所述的硅材料成为非晶态；利用注入工具将多个掺杂物粒子引入所述硅材料的所选择的深度，所述的非晶态捕获所述的掺杂物粒子；将包含所述的多个粒子和掺杂物粒子的监测晶片进行热退火处理，以激活所述的掺杂物；取下所述的监测晶片；测量所述监测晶片的包含注入掺杂物粒子的表面区域的表面电阻率；确定所述的含掺杂物杂质的剂量；以及如果所述监测晶片中的掺杂物粒子的剂量在规定极限的容许范围之内，则运行所述的注入工具来对一个或多个产品晶片进行处理。