[发明专利]在芯片电路的不同区域使用不同厚度的硅化物的工艺无效
| 申请号： | 200310122902.4 | 申请日： | 2003-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1555094A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 胡恒声 | 申请（专利权）人： | 上海华虹（集团）有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造工艺技术领域。具体为一种在芯片电路的不同区域使用不同厚度的硅化物的工艺。为了优化电路不同区域的器件性能，在要求或只能使用大电阻的硅化物的区域，生长较薄的硅化物；而在要求或可以使用小电阻的硅化物的区域，生长较厚的硅化物。为此需要用到两块掩膜版，用介质膜在生长某一种厚度硅化物的同时覆盖住需要保护的另外的生长硅化物的区域，有不同的工艺可以实现这一要求，根据需要加以选择。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电路 不同 区域 使用 厚度 硅化物 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种形成芯片电路中硅化物的工艺，其特征在于电路中的要求电阻小的晶体管或电阻等用到硅化物的有源/无源器件的硅化物厚度与电路中要求电阻大的晶体管或电阻等有源/无源器件的硅化物厚度之比大于1，小于10，其中，要求电阻小的区域的硅化物厚度为10-150nm，要求电阻大的区域的硅化物厚度为8-100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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