[发明专利]一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统无效
| 申请号： | 200310122883.5 | 申请日： | 2003-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1556390A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张永刚;李爱珍;齐鸣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统，属于半导体测试技术领域。本发明特征在于采用两个或多个不同波长的单色微光器作为测量光源；用材料的光电导、光伏或光电容等信号作为响应信号，对测量光源进行变频调制，采用锁相放大技术测量光源的调制频率与响应信号幅度间关系，对测量数据进行处理拟合，从而获得有关材料特性的数据。提供的系统由两台或多台不同的波长的单色微光器及进行波长切换的反射镜光路；光调制器、偏置电源、偏置网络及样品架；弱信号扦测的锁相放大器以及计算机控制的数据采集的记录等五部分组成。本发明适用于各类薄膜，外延微结构及体材料半导体特性的测量和表征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体材料 特性 表征 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体材料测量表征的方法，其特征在于：1)采用两个或多个不同波长的单色激光器作为测量光源；2)用材料的光电导、光伏或光电容信号作为响应信号；3)对测量光源进行变频调制，采用锁相放大技术测量光源调制频率与响应信号幅度的关系；4)对测量数据进行处理拟合，得出有关材料特性的信息。
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