[发明专利]电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 200310118730.3 | 申请日： | 2003-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1507033A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·D·库尔鲍;约翰·M·科蒂;埃贝尼泽·E·伊舒恩;肯尼思·J·斯坦;理查德·P·沃兰特;库纳尔·韦德 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电容器及其制造方法，该电容器为具有高k介电层的特殊类型的高表面积BEOL电容器。这些高表面积BEOL电容器可用于模拟和混合信号应用中。电容器形成在沟槽内，沟槽内具有基座以增大表面。顶电极和底电极使用内嵌集成设计建立。介电层创建为包括例如Al2O3、Al2O3/Ta2O5、Al2O3/Ta2O5/Al2O3的多层介电膜。介电层可通过例如原子层沉积或化学汽相沉积的方法沉积。电容器中所使用的介电层还可通过金属前体的阳极氧化来产生，从而产生高介电常数氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电容器的方法，包括：在衬底上设置层间电介质；在所述层间电介质中蚀刻沟槽；在所述沟槽内沉积导电材料；在所述沟槽内形成至少一个导电基座，其直接位于所述导电材料的暴露部分上，用于增大所述电容器的表面积，从而使得所述电容器能够具有明显更高的电容量，所述导电材料和所述至少一个导电基座形成了连续导电部件；沉积至少一层高k介电层；以及使用所述连续导电部件形成所述电容器的至少一个电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310118730.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
