[发明专利]用于制造自行对准接触窗结构的方法无效
| 申请号： | 200310108195.3 | 申请日： | 2003-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1612302A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 许允埈 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制造自行对准接触窗结构的方法，其在一半导体基底上具有至少二导电结构，所述导电结构位于将形成自行对准接触窗的位置旁，并有多个光刻结构位于导电结构上，每一光刻结构具有一顶面及一垂直面；一介电层覆盖于半导体基底上，然后蚀刻去除部分介电层，以暴露出每一光刻结构的顶面与部分垂直面；再在每一露出的垂直表面上形成多个间隙壁。因此，当后续在二导电结构之间形成自行对准接触窗结构时，此氮化物间隙壁的部分周围具有较低的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 自行 对准 接触 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造自行对准接触窗结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，其上形成至少二导电结构，该导电结构位于将形成自行对准接触窗的位置二侧，并有多个光刻结构分别位于该导电结构上，且每一光刻结构各具有一顶面及一垂直面；形成一介电层覆盖于该半导体基底上；蚀刻去除部份该介电层，以露出该光刻结构的顶面与部份该垂直面；以及形成多个间隙壁，每一该间隙壁沉积于每一露出的该垂直表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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