[发明专利]铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 200310107202.8 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1547239A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 孙云;李长健;刘唯一;何清;李凤岩;周志强;敖建平;孙国忠 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 胡安朋 |
| 地址： | 3000*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或/和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层，再在热处理真空室内进行光硒化或/和硫化反应，其特征在于：对沉积有铜铟镓金属预制层的电池基板双面同时加热,电池基板的背部一面用接触式热源加热,镀覆金属预制层的基板一面用光辐照加热，在其快速、均匀地升温到400～560℃区间时，对硒源或硫源进行接触式热源和光辐照的协同加热，促使铜铟镓金属预制层转变成化合物半导体光电薄膜材料。本发明方法克服了600℃高温硒化或硫化造成的玻璃软化，适合于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓 硫化物 半导体 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.铜铟镓的硒或/和硫化物半导体光电薄膜材料的制备方法，是在铜铟镓硒或/和硫光学吸收层薄膜的制备工艺中，先用真空磁控溅射、加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层，再在热处理真空室内进行光硒化或/和硫化反应，其特征在于：对沉积有铜铟镓金属预制层的电池基板双面同时加热，电池基板的背部一面用接触式热源加热，镀覆金属预制层的基板一面用光辐照加热，在其快速、均匀地升温到400～560℃区间时，对硒源或硫源进行接触式热源和光辐照的协同加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
