[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 03825101.9 | 申请日： | 2003-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1695202A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 富田浩由;内田敏也 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体存储装置包括以下装置：用于存储数据的存储单元(501、502)；与存储单元相连接，对存储单元可以进行数据输入或输出的位线(BL1、BL2)；与位线相连接，对位线上的数据进行放大的读出放大器(506a)；与连接于存储单元的位线和连接于读出放大器的位线进行连接或断开的开关晶体管(505a)。开关晶体管在第一存储单元访问动作和第二存储单元访问动作中的动作不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：用于存储数据的存储单元；与所述存储单元相连接，可以对所述存储单元进行数据输入或输出的位线；与所述位线相连接，对所述位线上的数据进行放大的读出放大器；和与连接于所述存储单元的位线和连接于所述读出放大器的位线相连接或断开的开关晶体管，其中，所述开关晶体管在第一存储单元访问动作和在第二存储单元访问动作中的动作不同。
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