[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 03824173.0 | 申请日： | 2003-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1689205A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 渡边温;高桥宏和;木村义则;宫地护 | 申请（专利权）人： | 先锋株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。III族氮化物半导体发光元件包括置于n型接触层(4A)与n型包层(5A)之间的n型GaN的裂纹防止层(15)，其中，裂纹防止层15的掺杂浓度比n型接触层(4A)的掺杂浓度要低。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种III族氮化物半导体发光元件，其包括n型GaN的n型接触层、n型AlxGa1-x-yInyN的n型包层、有源层、p型包层以及p型接触层，其中0＜x＜1、0≤y＜1、0＜x+y＜1，该III族氮化物半导体发光元件包括：置于所述n型接触层与所述n型包层之间的n型GaN的裂纹防止层，其中，所述裂纹防止层的掺杂浓度比所述n型接触层的掺杂浓度要低。
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