[发明专利]基板的表面处理方法无效
| 申请号： | 03816291.1 | 申请日： | 2003-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1669126A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 高桑雄二 | 申请（专利权）人： | 月岛机械株式会社;高桑雄二 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/316;H01L21/318;C23C16/27;C23C16/48;G11B5/39;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种利用光泵浦过程对导电基板进行表面处理的方法，其中，将一个导电基板放置于一个处理容器(1)中，所述处理容器中的压力保持在0.001～1个大气压，同时向基板(2)施加一个负偏压，从装于带有一个光输出窗的容器的紫外线光源(5)产生具有3～10eV的光能的紫外线，该光能大于所述基板表面的功函数，并且向所述处理容器(1)中通入工艺气体，从而通过从所述基板表面发射的电子与工艺气体组分碰撞来产生离子和自由基(6)，所述离子和自由基可以到达所述基板(2)的表面，因此，即使对于大面积的基板来说，也可能简单地、高效地、低成本地并且容易地对基板进行表面处理。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板的表面处理方法，其特征在于，在一工艺室中放置一导电基板，将所述工艺室中的压力保持在0.001～1个大气压之间，从装于带有一光输出窗的一工艺室中的一光源辐照出具有3～10eV的光子能的紫外线，同时向所述基板施加一负偏电压，并将一工艺气体通入所述工艺室内，从而对所述基板的表面进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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